IMH4AT110
Hersteller Produktnummer:

IMH4AT110

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

IMH4AT110-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventar:

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IMH4AT110 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMH4

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
SMT6 DTRTG Reliability Test
Design-Ressourcen
SMT6 Inner Structure
Datenblätter
IMH4AT110 SMT6 T110 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IMH4AT110DKR
846-IMH4AT110TR
IMH4AT110CT
IMH4AT110TR
IMH4AT110-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN1611(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
325
TEILNUMMER
RN1611(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.05
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PIMH9,115
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0.04
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certification_02
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cr
certification_015
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esd
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