Hersteller Produktnummer:
IMH10AT110
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
IMH10AT110-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
18978 Stück Neu Original Auf Lager
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IMH10AT110 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
Q3507170BA
IMH10AT110TR
IMH10AT110CT
IMH10AT110DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN1605TE85LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
73
TEILNUMMER
RN1605TE85LF-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Direct
Teilenummer
PIMH9,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
PIMH9,115-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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