IMB3AT110
Hersteller Produktnummer:

IMB3AT110

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

IMB3AT110-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventar:

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13525400
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IMB3AT110 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMB3

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
SMT6 DTRTG Reliability Test
Design-Ressourcen
SMT6 Inner Structure
Datenblätter
IMB3AT110 SMT6 T110 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IMB3AT110-ND
846-IMB3AT110DKR
846-IMB3AT110CT
846-IMB3AT110TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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