Hersteller Produktnummer:
EMZ51T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMZ51T2R-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
8000 Stück Neu Original Auf Lager
13520700
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EMZ51T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Leistung - Max
150mW
Frequenz - Übergang
400MHz, 350MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMZ51
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMZ51T2RDKR
EMZ51T2RCT
EMZ51T2RTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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