Hersteller Produktnummer:
EMZ2T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMZ2T2R-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13523910
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EMZ2T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Leistung - Max
150mW
Frequenz - Übergang
180MHz, 140MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMZ2T2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMZ2T2R-ND
EMZ2T2RCT
EMZ2T2RTR
EMZ2T2RDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
HN1B04FE-Y,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
HN1B04FE-Y,LF-DG
Einheitspreis
0.03
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