EML17T2R
Hersteller Produktnummer:

EML17T2R

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

EML17T2R-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V EMT5
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 30 mA 250 MHz 120 mW Surface Mount EMT5

Inventar:

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EML17T2R Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
120 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
EMT5
Basis-Produktnummer
EML17

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
EML17T2R

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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