EMG4T2R
Hersteller Produktnummer:

EMG4T2R

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

EMG4T2R-DG

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Inventar:

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EMG4T2R Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
EMT5
Basis-Produktnummer
EMG4T2

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
EMT5 DTRTG Reliability Test
Design-Ressourcen
EMT5 Inner Structure
Datenblätter
EMG4T2R EMT5 T2R Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMG4T2RTR
EMG4T2RCT
EMG4T2RDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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