Hersteller Produktnummer:
EMF23T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMF23T2R-DG
Beschreibung:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
12995524
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Menge
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EINREICHEN
EMF23T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz, 140MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMF23
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-EMF23T2RTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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