Hersteller Produktnummer:
EMD5T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMD5T2R-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
14627 Stück Neu Original Auf Lager
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EMD5T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Rohm Semiconductor
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms, 4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms, 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMD5T2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMD5T2RCT
846-EMD5T2RTR
EMD5T2RTR
846-EMD5T2RDKR
EMD5T2RDKR
846-EMD5T2RCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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