Hersteller Produktnummer:
EMD52T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMD52T2R-DG
Beschreibung:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
12950455
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EMD52T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMD52T
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-EMD52T2RDKR
846-EMD52T2RCT
846-EMD52T2RTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
NSBC124EDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3573
TEILNUMMER
NSBC124EDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Direct
Teilenummer
PEMH1,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
PEMH1,115-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Upgrade
Teilenummer
PEMD2,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2902
TEILNUMMER
PEMD2,115-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Upgrade
Teilenummer
RN4983FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3850
TEILNUMMER
RN4983FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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