EMD12T2R
Hersteller Produktnummer:

EMD12T2R

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

EMD12T2R-DG

Beschreibung:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventar:

7400 Stück Neu Original Auf Lager
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EMD12T2R Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMD12

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
EMD12T2R
Zuverlässigkeit Dokumente
EMT6 DTR Reliability Test
Design-Ressourcen
EMT6 Inner Structure

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMD12T2RDKR
EMD12T2RCT
EMD12T2RTR
EMD12T2R-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NSBC144EPDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3990
TEILNUMMER
NSBC144EPDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PEMD12,115
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
4633890
TEILNUMMER
PEMD12,115-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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