Hersteller Produktnummer:
EMA8T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMA8T2R-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
Inventar:
13520787
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Menge
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EMA8T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
EMT5
Basis-Produktnummer
EMA8T2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMA8T2RTR
EMA8T2RCT
EMA8T2RDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN2707JE(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
1645
TEILNUMMER
RN2707JE(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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