Hersteller Produktnummer:
EMA6T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMA6T2R-DG
Beschreibung:
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventar:
12995481
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EMA6T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
EMT5
Basis-Produktnummer
EMA6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-EMA6T2RTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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