Hersteller Produktnummer:
EM6M1T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EM6M1T2R-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13521832
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EM6M1T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V, 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA, 200mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13pF @ 5V
Leistung - Max
150mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EM6M1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTJD4158CT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
14230
TEILNUMMER
NTJD4158CT1G-DG
Einheitspreis
0.09
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