Hersteller Produktnummer:
DTDG14GPT100
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTDG14GPT100-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60 V 1 A 80 MHz 2 W Surface Mount MPT3
Inventar:
11980 Stück Neu Original Auf Lager
13522778
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DTDG14GPT100 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 500mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
80 MHz
Leistung - Max
2 W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
MPT3
Basis-Produktnummer
DTDG14
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
DTDG14GPT100DKR
DTDG14GPT100TR
DTDG14GPT100CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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