Hersteller Produktnummer:
DTD143ECT216
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTD143ECT216-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3
Inventar:
921 Stück Neu Original Auf Lager
13524831
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DTD143ECT216 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Basis-Produktnummer
DTD143
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
846-DTD143ECT216TR
846-DTD143ECT216DKR
DTD143ECT216-ND
846-DTD143ECT216CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PDTD143ETR
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
9913
TEILNUMMER
PDTD143ETR-DG
Einheitspreis
0.03
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