DTC363EUT106
Hersteller Produktnummer:

DTC363EUT106

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTC363EUT106-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A UMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

Inventar:

Angebot Anfrage Online
13522541
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DTC363EUT106 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Widerstand - Basis (R1)
6.8 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
6.8 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
80mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Basis-Produktnummer
DTC363

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTC143EU,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
72641
TEILNUMMER
PDTC143EU,115-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
Teilenummer
MUN5232T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
10908
TEILNUMMER
MUN5232T1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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Teilenummer
MUN5230T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5134
TEILNUMMER
MUN5230T1G-DG
Einheitspreis
0.03
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0.02
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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