Hersteller Produktnummer:
DTC124EMT2L
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTC124EMT2L-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventar:
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DTC124EMT2L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VMT3
Basis-Produktnummer
DTC124
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
DTC124EMT2LCT
DTC124EMT2LTR
DTC124EMT2LDKR
DTC124EMT2L-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTC124EM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7315
TEILNUMMER
DTC124EM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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