DTC123YEBTL
Hersteller Produktnummer:

DTC123YEBTL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTC123YEBTL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)

Inventar:

3150 Stück Neu Original Auf Lager
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DTC123YEBTL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3F (SOT-416FL)
Basis-Produktnummer
DTC123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTC123YEBTL

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-DTC123YEBTLTR
846-DTC123YEBTLCT
846-DTC123YEBTLDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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