Hersteller Produktnummer:
DTB523YE3TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTB523YE3TL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventar:
2800 Stück Neu Original Auf Lager
13001518
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DTB523YE3TL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
260 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTB523
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-DTB523YE3TLCT
846-DTB523YE3TLDKR
846-DTB523YE3TLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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