Hersteller Produktnummer:
DTA123JEFRATL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTA123JEFRATL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventar:
1973 Stück Neu Original Auf Lager
13520724
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DTA123JEFRATL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTA123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTA123JEFRATLCT
DTA123JEFRATLTR
DTA123JEFRATLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTA123JE-TP
HERSTELLER
Micro Commercial Co
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
DTA123JE-TP-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
DDTA123JE-7-F
HERSTELLER
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0
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Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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