Hersteller Produktnummer:
DTA114TMT2L
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTA114TMT2L-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventar:
3120 Stück Neu Original Auf Lager
13080409
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DTA114TMT2L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Rohm Semiconductor
Reihe
DTA114T
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VMT3
Basis-Produktnummer
DTA114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
DTA114TMT2LDKR
DTA114TMT2LCT
DTA114TMT2LTR
846-DTA114TMT2LTR
DTA114TMT2L-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PDTA114TM,315
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
PDTA114TM,315-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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