DTA114TETL
Hersteller Produktnummer:

DTA114TETL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTA114TETL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3

Inventar:

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12818105
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DTA114TETL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTA114

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
EMT3 DTRTG Reliability Test
Datenblätter
DTA114TE DTA114EEFRA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-DTA114TETLTR
DTA114TETLDKR
DTA114TETLTR
DTA114TETL-DG
DTA114TETLCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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