DTA043TEBTL
Hersteller Produktnummer:

DTA043TEBTL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTA043TEBTL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)

Inventar:

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DTA043TEBTL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3F (SOT-416FL)
Basis-Produktnummer
DTA043

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
EMT3F DTRTG Reliability Test
Design-Ressourcen
EMT3F Inner Structure
Datenblätter
DTA043TEBTL DTA114EEFRA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTA043TEBTLDKR
DTA043TEBTLCT
DTA043TEBTLTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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