Hersteller Produktnummer:
BSS670T116
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSS670T116-DG
Beschreibung:
NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Inventar:
560 Stück Neu Original Auf Lager
12989117
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BSS670T116 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
650mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 10µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
47 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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