Hersteller Produktnummer:
BSS63T116
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSS63T116-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 100 mA 200MHz 350 mW Surface Mount SST3
Inventar:
13521487
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BSS63T116 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
350 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS63T116CT
BSS63T116DKR
BSS63T116TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS63LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7162
TEILNUMMER
BSS63LT1G-DG
Einheitspreis
0.02
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Direct
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