Hersteller Produktnummer:
BSM300C12P3E301
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSM300C12P3E301-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
Inventar:
13270349
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BSM300C12P3E301 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 80mA
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1360W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Paket / Koffer
Module
Basis-Produktnummer
BSM300
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4
Andere Namen
846-BSM300C12P3E301
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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