Hersteller Produktnummer:
BR25A512FVT-3MGE2
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BR25A512FVT-3MGE2-DG
Beschreibung:
IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
EEPROM Memory IC 512Kbit SPI 10 MHz 8-TSSOP-B
Inventar:
2985 Stück Neu Original Auf Lager
3980355
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BR25A512FVT-3MGE2 Technische Spezifikationen
Kategorie
Speicher, Speicher
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
DiGi-Electronics Programmierbar
Not Verified
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
EEPROM
Technologie
EEPROM
Größe des Speichers
512Kbit
Organisation des Speichers
64K x 8
Speicher-Schnittstelle
SPI
Taktfrequenz
10 MHz
Zykluszeit schreiben - Word, Seite
5ms
Spannung - Versorgung
2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 105°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP-B
Basis-Produktnummer
BR25A512
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BR25A512FVT-3MGE2CT
BR25A512FVT-3MGE2DKR
BR25A512FVT-3MGE2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.32.0051
DIGI-Zertifizierung
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