2SK2887TL
Hersteller Produktnummer:

2SK2887TL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

2SK2887TL-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3

Inventar:

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13524630
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2SK2887TL Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
230 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CPT3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
2SK2887

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2SK2887TLDKR
2SK2887TLCT
2SK2887TLTR
2SK2887TL-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFR220PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4331
TEILNUMMER
IRFR220PBF-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
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Teilenummer
IRFR220TRPBF
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TEILNUMMER
IRFR220TRPBF-DG
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0.31
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0.45
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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