Hersteller Produktnummer:
2SD2607FU6
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SD2607FU6-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 40MHz 2 W Through Hole TO-220FN
Inventar:
13522070
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2SD2607FU6 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
40MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2N6045G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
702
TEILNUMMER
2N6045G-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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