Hersteller Produktnummer:
2SC5876U3T106
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SC5876U3T106-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventar:
21328 Stück Neu Original Auf Lager
13521940
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2SC5876U3T106 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Basis-Produktnummer
2SC5876
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-2SC5876U3T106DKR
2SC5876U3T106CT
2SC5876U3T106TR-ND
2SC5876U3T106DKR
846-2SC5876U3T106TR
2SC5876U3T106DKR-ND
2SC5876U3T106TR
846-2SC5876U3T106CT
2SC5876U3T106CT-ND
2SC5876U3T106R
2SC5876U3T106Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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