Hersteller Produktnummer:
2SC5585E3TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SC5585E3TL-DG
Beschreibung:
NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 500 mA 320MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13004438
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2SC5585E3TL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
270 @ 10mA, 2V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
320MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
2SC5585
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-2SC5585E3TLDKR
846-2SC5585E3TLTR
846-2SC5585E3TLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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