2SB1565FU6E
Hersteller Produktnummer:

2SB1565FU6E

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

2SB1565FU6E-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 60V 3A TO220FN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 15MHz 2 W Through Hole TO-220FN

Inventar:

13521806
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2SB1565FU6E Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
15MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
KSB1366GTU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
661
TEILNUMMER
KSB1366GTU-DG
Einheitspreis
0.38
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HERSTELLER
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Einheitspreis
0.43
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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