Hersteller Produktnummer:
2SB1260T100P
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SB1260T100P-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 80V 1A MPT3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W Surface Mount MPT3
Inventar:
13522811
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2SB1260T100P Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
82 @ 100mA, 3V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
MPT3
Basis-Produktnummer
2SB1260
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BSR33TA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
887
TEILNUMMER
BSR33TA-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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Teilenummer
BCX53,115
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