Hersteller Produktnummer:
UPA2003C-A
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
UPA2003C-A-DG
Beschreibung:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
Inventar:
1875 Stück Neu Original Auf Lager
12974873
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UPA2003C-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Leistung - Max
900mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-30°C ~ 75°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket für Lieferanten
16-DIP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
299
Andere Namen
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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