RJK60S7DPP-E0#T2
Hersteller Produktnummer:

RJK60S7DPP-E0#T2

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

RJK60S7DPP-E0#T2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventar:

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RJK60S7DPP-E0#T2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+30V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34.7W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RJK60S7DPP-E0

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
RJK60S7DPPE0T2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STF38N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1857
TEILNUMMER
STF38N65M5-DG
Einheitspreis
2.61
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