Hersteller Produktnummer:
NP82N10PUF-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
NP82N10PUF-E1-AY-DG
Beschreibung:
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Inventar:
6400 Stück Neu Original Auf Lager
12976878
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NP82N10PUF-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
121
Andere Namen
2156-NP82N10PUF-E1-AY
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF3710STRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
15343
TEILNUMMER
IRF3710STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
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