Hersteller Produktnummer:
NP60N055VUK-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP60N055VUK-E1-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
7973 Stück Neu Original Auf Lager
12860109
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NP60N055VUK-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 253µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NP60N055
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
559-NP60N055VUK-E1-AYDKR
NP60N055VUK-E1-AY-DG
559-NP60N055VUK-E1-AYTR
-1161-NP60N055VUK-E1-AYCT
559-NP60N055VUK-E1-AYCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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