Hersteller Produktnummer:
NP60N04NUK-S18-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP60N04NUK-S18-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 60A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 105W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventar:
12858083
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NP60N04NUK-S18-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
NP60N04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI70N04S406AKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
500
TEILNUMMER
IPI70N04S406AKSA1-DG
Einheitspreis
0.80
ERSATZART
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