NP55N055SUG-E1-AY
Hersteller Produktnummer:

NP55N055SUG-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

NP55N055SUG-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 55A (Tc) 1.2W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)

Inventar:

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NP55N055SUG-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NP55N055SUG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMTH6010LK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMTH6010LK3-13-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
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