Hersteller Produktnummer:
NP28N10SDE-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
NP28N10SDE-E1-AY-DG
Beschreibung:
NP28N10SDE-E1-AY - MOS FIELD EFF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 1.2W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
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NP28N10SDE-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
226
Andere Namen
2156-NP28N10SDE-E1-AY
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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