Hersteller Produktnummer:

NP180N04TUG-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

NP180N04TUG-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 40 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventar:

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NP180N04TUG-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Renesas Electronics Corporation

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

40 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

390 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

25700 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 288W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

TO-263-7

Paket / Koffer

TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

800

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Affected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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