NP180N04TUG-E1-AY
Hersteller Produktnummer:

NP180N04TUG-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

NP180N04TUG-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventar:

12861007
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NP180N04TUG-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 288W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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