NP110N04PUG-E1-AY
Hersteller Produktnummer:

NP110N04PUG-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

NP110N04PUG-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

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NP110N04PUG-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 288W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NP110N04

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NP110N04PUG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PSMN1R1-40BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
3918
TEILNUMMER
PSMN1R1-40BS,118-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
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Teilenummer
FDB9406-F085
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BUK661R9-40C,118-DG
Einheitspreis
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