Hersteller Produktnummer:
NESG2101M05-T1-A
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NESG2101M05-T1-A-DG
Beschreibung:
NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 5V 100mA 17GHz 500mW Surface Mount M05
Inventar:
9000 Stück Neu Original Auf Lager
12947339
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NESG2101M05-T1-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
5V
Frequenz - Übergang
17GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinnen
11dB ~ 19dB
Leistung - Max
500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
130 @ 15mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-343F
Gerätepaket für Lieferanten
M05
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
555
Andere Namen
2156-NESG2101M05-T1-A
RENRNSNESG2101M05-T1-A
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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