N0601N-ZK-E1-AY
Hersteller Produktnummer:

N0601N-ZK-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

N0601N-ZK-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

1600 Stück Neu Original Auf Lager
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N0601N-ZK-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7730 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
N0601N-ZK-E1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
-1161-N0601N-ZK-E1-AYCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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