N0412N-S19-AY
Hersteller Produktnummer:

N0412N-S19-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

N0412N-S19-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

2874 Stück Neu Original Auf Lager
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N0412N-S19-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
N0412N-S19

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
N0412N-S19-AY
HTML-Datenblatt
N0412N-S19-AY-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-1161-N0412N-S19-AY

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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