Hersteller Produktnummer:
HFA3127RZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HFA3127RZ-DG
Beschreibung:
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
Inventar:
12855117
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Menge
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EINREICHEN
HFA3127RZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
5 NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
3.5dB @ 1GHz
Gewinnen
-
Leistung - Max
150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
65mA
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
16-VFQFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
16-QFN (3x3)
Basis-Produktnummer
HFA3127
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
-HFA3127RZ
Q8469841
HFA3127RZ-CRL
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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