Hersteller Produktnummer:
HAT2299WP-EL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2299WP-EL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 14A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
Inventar:
12860580
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HAT2299WP-EL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-WPAK (3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
HAT2299
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMC86244
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
9494
TEILNUMMER
FDMC86244-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
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