Hersteller Produktnummer:
HAT2173HWS-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2173HWS-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Inventar:
12855534
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HAT2173HWS-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4350 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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