HAT2170H-EL-E
Hersteller Produktnummer:

HAT2170H-EL-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

HAT2170H-EL-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 45A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK

Inventar:

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12854726
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HAT2170H-EL-E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4650 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
HAT2170

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HAT2170H-EL-E
HTML-Datenblatt
HAT2170H-EL-E-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PSMN5R8-40YS,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
22480
TEILNUMMER
PSMN5R8-40YS,115-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PSMN2R6-40YS,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
113887
TEILNUMMER
PSMN2R6-40YS,115-DG
Einheitspreis
0.70
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PSMN8R3-40YS,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
PSMN8R3-40YS,115-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
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TEILNUMMER
PSMN4R0-40YS,115-DG
Einheitspreis
0.45
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cr
certification_015
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